RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 2, страницы 95–97 (Mi qe15879)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Письма

Волоконный лазер на основе активного световода, легированного теллуром

С. В. Алышевa, К. Е. Рюмкинa, А. В. Шубинa, О. И. Медведковa, В. Ф. Хопинb, А. Н. Гурьяновb, Е. М. Диановa

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы генерационные свойства германо-силикатного световода, легированного теллуром. Обнаружены полосы усиления и поглощения из возбужденного состояния. Исследовано влияние на них охлаждения до низких (77 K) температур. Измерен спектр возбуждения ближней ИК люминесценции. Впервые в мире на данной активной среде, охлажденной до температуры жидкого азота, с использованием накачки на длинах волн 1.064 или 1.085 мкм получена лазерная генерация на 1.55 мкм. Измеренный спектр комбинационного рассеяния позволил сделать предположение о структуре люминесцирующего центра.

Ключевые слова: теллур, теллуровый волоконный световод, лазерная генерация.

PACS: 42.55.Wd, 78.60.Lc

Поступила в редакцию: 13.12.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2014, 44:2, 95–97

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024