RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 5, страницы 498–502 (Mi qe15916)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Взаимодействие излучения с веществом

Генерация коротких гамма-импульсов на электронных сгустках, формируемых в интерферирующих интенсивных лазерных пучках с наклонными фронтами

В. В. Коробкинab, М. Ю. Романовскийa, В. А. Трофимовa, О. Б. Ширяевa

a Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.

Аннотация: Показано, что при интерференции нескольких лазерных импульсов с релятивистской интенсивностью, фазовые и амплитудные фронты которых наклонены на некоторый угол относительно их волнового вектора, формируются эффективные ловушки заряженных частиц, движущиеся со скоростью света. Такие ловушки могут захватывать и ускорять электроны, возникающие при ионизации газа низкой плотности самим лазерным излучением. Ускоренные электроны образуют в ловушках сжатый сгусток, размеры которого по всем направлениям много меньше длины волны лазерного излучения. Расчеты показывают, что при экспериментально достижимых релятивистских интенсивностях лазерного излучения энергия ускоренного электрона может составлять несколько сотен гигаэлектронвольт. При взаимодействии этих электронов с распространяющимся навстречу им лазерным импульсом в результате обратного комптоновского рассеяния излучаются гамма-кванты с большой энергией и узкой диаграммой направленности. Длительность излучаемых гамма-импульсов составляет несколько аттосекунд. Моделирование выполнено на основе решения релятивистского уравнения движения электрона с соответствующей силой Лоренца.

Ключевые слова: лазерный импульс с релятивистской интенсивностью, ускорение электронов, обратный комптоновский эффект, гамма-излучение.

PACS: 41.75.Ht, 41.75.Jv, 52.38.Ph

Поступила в редакцию: 03.03.2014
Исправленный вариант: 19.03.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2014, 44:5, 498–502

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024