RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 9, страницы 852–858 (Mi qe16034)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Наноструктуры

Cферические наночастицы золота и микрочастицы Au / SiO2 (оболочка/ядро) в условиях интенсивного фемтосекундного лазерного возбуждения: динамика релаксации наночастиц золота и наноструктурирование боросиликатного стекла с помощью микрочастиц Au / SiO2

А. М. Шаховab, А. А. Астафьевa, Н. Н. Денисовc, Ф. Е. Гостевa, И. В. Шелаевa, А. Н. Титовa, В. А. Надточенкоac

a Институт химической физики им. Н. Н. Семенова РАН, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.
c Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.

Аннотация: Сообщается об эффекте наноструктурирования поверхности боросиликатного стекла, покрытого слоем воды, и формировании лунок с диаметром ~150 нм с помощью микрочастиц Au/SiO2 (оболочка/ядро) при возбуждении импульсами длительностью 50 фс (λ = 780 нм) в оптической схеме инвертированного микроскопа с объективом 100×, NA = 1.4. Дано сравнение порогов образования отверстий в стекле при использовании Au/SiO2 и непокрытых SiO2-микрочастиц. Порог с использованием Au/SiO2 составил 0.7 Дж/см2, а для микрочастиц SiO2 порог был равен 2.9 Дж/см2, что совпадает со значением порога наноструктурирования сфокусированным фемтосекундным импульсом без микрочастиц – 3 Дж/см2. Методом фемтосекундной спектроскопии возбуждение – зондирование выявлена динамика релаксации поглощенной Au-наночастицей энергии лазерного импульса и диссипации энергии в окружающую среду. Порог образования кавитационного пузыря в воде с Au/SiO2 составил 0.06 мДж/см2, что в 30 раз ниже порога образования пузыря с непокрытыми микрочастицами SiO2.

Ключевые слова: фемтосекундное лазерное микроструктурирование, плазмонный резонанс, золотые наночастицы, метод фемтосекундной лазерной спектроскопии возбуждение – зондирование.

PACS: 79.20.Eb, 81.16.-c, 78.67.Bf

Поступила в редакцию: 03.03.2014
Исправленный вариант: 20.03.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2014, 44:9, 852–858

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024