RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 10, страницы 912–920 (Mi qe16044)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Функциональные возможности формирования распределений инверсной населенности в квантронах с поперечной диодной накачкой

С. Г. Гречин, П. П. Николаев, Е. А. Шарандин

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана

Аннотация: Представлены результаты анализа функциональных возможностей квантронов твердотельных лазеров с поперечной диодной накачкой по формированию различного вида распределений инверсной населенности. Определены инварианты, определяющие связь параметров квантрона при масштабировании. Представлены результаты сравнительных экспериментальных исследований.

Ключевые слова: квантрон, поперечная диодная накачка, распределение инверсной населенности, оптимизация параметров.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 20.01.2014
Исправленный вариант: 20.05.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2014, 44:10, 912–920

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024