Источник света с высокой яркостью излучения на длине волны 13.5 нм

Представлены результаты исследований по разработке высокояркостного источника излучения экстремального ультрафиолетового (ЭУФ) диапазона, предназначенного для использования в проекционной ЭУФ литографии, для инспекции литографических масок, в ЭУФ метрологии и др. Новые подходы к созданию источника света на основе Z-пинча в ксеноне позволили достичь максимальной для данного типа источников яркости излучения вблизи плазмы 130 Вт(мм²·ср)^-1 в 2%-ной спектральной полосе с центром на длине волны 13.5 нм, отвечающей максимуму отражения многослойных Mo/Si-зеркал. В этой спектральной полосе мощность излучения достигает 190 Вт в телесный угол 2π ср при частоте следования импульсов 1.9 кГц и вводимой в разряд электрической мощности 20 кВт.