RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 12, страницы 1091–1098 (Mi qe16081)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Численное моделирование процесса усиления микроволнового излучения в плазменном канале, созданном в газе при его многофотонной ионизации фемтосекундным лазерным импульсом

А. В. Богацкаяabc, Е. А. Волковаc, А. М. Поповabc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, физический факультет
c НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследована эволюция неравновесного плазменного канала, созданного в ксеноне фемтосекундным излучением KrF-лазера. Показано, что такой канал может быть использован для усиления импульсов микроволнового излучения на временах порядка времени релаксации энергетического спектра фотоэлектронов в ксеноне. В рамках приближения медленно меняющихся амплитуд рассмотрен процесс распространения и усиления радиочастотного импульса в плазменном канале, в том числе в условиях влияния поля излучения на функцию распределения электронов по энергиям в нем.

Ключевые слова: плазменный канал, усиление электромагнитного излучения, функция распределения электронов по энергиям.

PACS: 32.80.Rm, 52.25.Os, 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 08.04.2014
Исправленный вариант: 03.06.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2014, 44:12, 1091–1098

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024