К. К. Бобков, А. А. Рыбалтовский, В. В. Вельмискин, М. Е. Лихачев, М. М. Бубнов, Е. М. Дианов, А. А. Умников, А. Н. Гурьянов, Н. Н. Вечканов, И. А. Шестакова, “Возбуждение состояния с переносом заряда как основной механизм фотопотемнения алюмосиликатных световодов, легированных оксидом иттербия”, Квантовая электроника, 44:12 (2014), 1129

Эта публикация цитируется в 22 статьях

Волоконные световоды

Возбуждение состояния с переносом заряда как основной механизм фотопотемнения алюмосиликатных световодов, легированных оксидом иттербия

К. К. Бобков^a, А. А. Рыбалтовский^a, В. В. Вельмискин^a, М. Е. Лихачев^a, М. М. Бубнов^a, Е. М. Дианов^a, А. А. Умников^b, А. Н. Гурьянов^b, Н. Н. Вечканов^b, И. А. Шестакова^c

^a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
^b Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород
^c Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Исследовано фотопотемнение заготовок световодов с сердцевиной из алюмосиликатного стекла, легированных оксидом иттербия. Анализ спектров поглощения и люминесценции позволил обнаружить появление стабильных ионов Yb²⁺ в сетке стекла при воздействии ИК излучения лазера накачки с длиной волны λ = 915 нм и УФ излучения эксимерного лазера (λ = 193 нм). Проведены сравнительные исследования спектров люминесценции образцов заготовок и кристаллов при их возбуждении излучением с длиной волны 193 нм. Установлен общий для легированных иттербием кристаллов YAG и алюмосиликатного стекла механизм образования ионов Yb²⁺ и алюминиевых кислородно-дырочных центров (Al-ОНС) как результат фотоиндуцированного возбуждения состояния переноса заряда ионов Yb³⁺.

Ключевые слова: фотопотемнение, двухвалентные ионы иттербия, активные иттербиевые волоконные световоды, волоконный лазер, перенос заряда, кислородно-дырочные центры.

PACS: 42.81.Cn, 42.81.Dp, 32.80.-t

Поступила в редакцию: 11.07.2014
Исправленный вариант: 23.09.2014