RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 8, страницы 709–710 (Mi qe161)

Письма в редакцию

Влияние магнитного поля на кольцевой чип-лазер на YAG:Nd3+

Н. М. Шабатькоa, Н. В. Кравцовb, Н. Н. Кравцовa, О. Е. Нанийa

a Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, физический факультет
b НИИ ядерной физики, МГУ им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Экспериментально исследованы поляризационные и частотные характеристики монолитного кольцевого чип-лазера на YAG:Nd3+. Показано, что изменение ориентации внешнего магнитного поля относительно активного элемента позволяет дискретно изменять частоту излучения чип-лазера и поляризацию выходного излучения.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Fc

Поступила в редакцию: 02.06.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:8, 653–654

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024