Д. В. Савин, Е. М. Гаврищук, В. Б. Иконников, О. Н. Еремейкин, А. С. Егоров, “Генерация лазера на поликристаллическом Cr2+:ZnSe с нелегированными торцами”, Квантовая электроника, 45:1 (2015), 8

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Лазеры

Генерация лазера на поликристаллическом Cr²⁺:ZnSe с нелегированными торцами

Д. В. Савин^ab, Е. М. Гаврищук^ab, В. Б. Иконников^ab, О. Н. Еремейкин^abc, А. С. Егоров^ca

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
^c ООО "Интеллектуальные системы НН", г. Дзержинск, Нижегородская обл.

Аннотация: Предложена оригинальная методика изготовления образцов поликристаллического Cr²⁺ : ZnSe с нелегированными торцами. Проведены исследования генерационных характеристик лазера на Cr²⁺ : ZnSe при импульсно-периодической накачке Tm³⁺ : YLF-лазером. Получена эффективность преобразования излучения накачки в лазерную генерацию на длине волны 2350 нм, равная 20%. Продемонстрирована повышенная лазерная стойкость образцов Cr²⁺ : ZnSe к пробою поверхности.

Ключевые слова: диодная накачка, Tm³⁺ : YLF-лазер, Cr²⁺ : ZnSe-лазер, нелегированные торцы.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 12.11.2014
Исправленный вариант: 26.11.2014