RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 2, страницы 113–120 (Mi qe16113)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Терагерцевое излучение

Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии

К. А. Ковалевскийa, Н. В. Абросимовb, Р. Х. Жукавинa, С. Г. Павловc, Г. -В. Хьюберсdc, В. В. Цыпленковa, В. Н. Шастинea

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Institute for Crystal Growth, Germany
c Institute of Planetary Research, German Aerospace Center
d Institut für Optik und Atomare Physik, Technische Universität Berlin, Germany
e Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Дан краткий обзор экспериментальных результатов исследования характеристик стимулированного терагерцевого излучения (4.9 – 6.4 ТГц) оптически возбуждаемых нейтральных доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк, висмут) в кристаллическом кремнии при его одноосной деформации сжатия по оси [100]. Показано, что такая деформация оказывает существенное воздействие на рассматриваемые характеристики и при ее оптимальных величинах, которые зависят от центра легирования, может уменьшить пороговую интенсивность накачки и увеличить эффективность генерации излучения. Обсуждаются возможные механизмы такого влияния. Приводится оценка предельно достижимых параметров выходного излучения.

Ключевые слова: кремниевый лазер, одноосная деформация, терагерцевое излучение.

PACS: 42.55.Px, 07.57.Hm, 78.45.th

Поступила в редакцию: 14.04.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:2, 113–120

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024