Распространение частотно-модулированных импульсов в активных одномерных фотонных кристаллах

Рассмотрено распространение частотно-модулированных импульсов в одномерном фотонном кристалле с усилением. Получено выражение, корректно описывающее время смещения максимума проходящего импульса с учетом его характеристик – длительности, частотной модуляции и положения спектра в запрещенной зоне. Аналитические выражения находятся в принципиальном согласии с результатами численного моделирования. Рассмотрено влияние усиления в фотонно-кристаллической структуре. Показана возможность управления параметрами проходящего импульса при помощи изменения частотной модуляции входящего импульса.