RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 4, страницы 312–314 (Mi qe16149)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Экспериментальное исследование слэб-лазера на кристалле Tm:YLF с объемной брэгговской решеткой при различных параметрах элемента выходной связи

Х. М. Дуань, Ю. Динг, Т. Ю. Дай, К. Чжао, Б. К. Яо

Harbin Institute of Technology

Аннотация: С помощью элемента выходной связи с различными параметрами исследована эффективность слэб-лазера на кристалле Tm:YLF. Использован слэб-кристалл a-среза длиной 20 мм с концентрацией ионов тулия 2.5 ат.%. С объемной брэгговской решеткой и эталоном Фабри–Перо выбранная длина волны излучения такого слэб-лазера составила 1908 нм. При использовании оптимизированного элемента выходной связи с пропусканием 20% и радиусом кривизны 300 мм выходная мощность превысила 74.1 Вт, а дифференциальная эффективность по поглощенной мощности накачки достигла 48.4%. Кроме того, было улучшено качество пучка слэб-лазера на Tm:YLF.

Ключевые слова: твердотельный лазер, диодная накачка, Tm:YLF, объемная брэгговская решетка.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Da, 42.60.Lh, 42.79.Dj

Поступила в редакцию: 17.04.2014
Исправленный вариант: 29.05.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:4, 312–314

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024