RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 5, страницы 462–466 (Mi qe16177)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Экстремальные световые поля и их приложения

Особенности одноимпульсной фемтосекундной лазерной микро- и субмикромасштабной абляции тонкой серебряной пленки, покрытой микронным слоем фоторезиста

Д. А. Заярныйa, А. А. Ионинa, С. И. Кудряшовab, С. В. Макаровac, А. А. Руденкоa, Е. А. Дроздоваd, С. Б. Одиноковd

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики
d Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана

Аннотация: Экспериментально исследованы особенности абляции тонкой серебряной пленки со слоем высокопрозрачного фоторезиста толщиной 1 мкм и без него под действием одиночных жесткосфокусированных фемтосекундных лазерных импульсов излучения видимого (515 нм) диапазона. Обнаружены и обсуждаются интерференционные эффекты внутренней модификации слоя фоторезиста, его откольной абляции с поверхности пленки, а также формирования сквозных полых субмикронных каналов в резисте без его откола, но с абляцией расположенной под ним серебряной пленки.

Ключевые слова: тонкая серебряная пленка с микронным слоем прозрачного фоторезиста, фемтосекундные лазерные импульсы видимого диапазона, жесткая фокусировка, субмикро- и микроабляция.

PACS: 79.20.Eb, 81.15.-z, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 22.02.2015


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:5, 462–466

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024