RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 8, страницы 711–712 (Mi qe162)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Письма в редакцию

Новые возможности неодимсодержащих кристаллов для генерации УФ и видимого стимулированного излучения на интенсивных излучательных переходах с уровней мультиплетов 4D3/2 и 2Р3/2

А. А. Каминскийa, В. С. Мироновa, С. Н. Багаевb

a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Впервые проанализированы возможности лазерных кристаллов с ионами Nd3+ для генерации в УФ и видимом диапазонах. Выявлены общие закономерности поведения интенсивностных характеристик межмультиплетных излучательных переходов этого активатора с уровней его высоколежащих метастабильных состояний 4D3/2 (~28200 см–1) и 2P3/2 (~26100 см–1).

PACS: 42.55.Rz, 78.45.+h

Поступила в редакцию: 02.06.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:8, 655–656

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024