Аннотация:
Построена численная модель полупроводникового дискового лазера с синхронизацией мод полупроводниковым зеркалом с насыщающимся поглощением (SESAM). Рассмотрено влияние на формирование импульсов фазовой модуляции, вызываемой насыщением усиления и поглощения в полупроводнике. Показано, что в лазерном резонаторе c достаточной величиной дисперсии второго порядка знакопеременная частотная модуляция импульса может быть скомпенсирована. Рассмотрена также модель подстройки дисперсии резонатора дискового лазера с помощью интерферометра Жира–Турнуа с ограниченной дисперсией третьего порядка.