Т. Ли, Э. Хао, Ю. Чжанг, “Диодный лазер высокой мощности, излучающий на 1060 нм, с асимметричным гетероволноводом”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 607

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры

Диодный лазер высокой мощности, излучающий на 1060 нм, с асимметричным гетероволноводом

Т. Ли^a, Э. Хао^b, Ю. Чжанг^a

^a National Key Lab. On High Power Diode Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, 130033, China
^b College of Physics, Jilin University, Changchun, 130021, China

Аннотация: Введение асимметричного гетероволновода в эпитаксиальную структуру диодного лазера позволило получить выходную мощность 6.21 Вт на длине волны 1060 нм. Другой вид p- и n-ограничения, основанный на оптимизации энергетических зон, использовался для уменьшения потерь напряжения и выполнения требований достижения высокой мощности и высокой эффективности от розетки. Изготовлен диодный лазер на 1060 нм с одиночной квантовой ямой и асимметричной волноводной гетероструктурой. Измерения показывают, что использование такой гетероструктуры является эффективным методом снижения потерь напряжения, улучшения ограничения инжектируемых носителей и повышения эффективности от розетки.

Ключевые слова: высокая мощность, диодный лазер, гетероволновод.

PACS: 42.55.Px, 85.35.Be, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 24.09.2014
Исправленный вариант: 24.10.2014