Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, А. В. Мазалов, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, “Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 601

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN

Н. А. Гамов^a, Е. В. Жданова^a, М. М. Зверев^a, Д. В. Перегудов^a, В. Б. Студенов^a, А. В. Мазалов^b, В. А. Курешов^b, Д. Р. Сабитов^b, А. А. Падалица^b, А. А. Мармалюк^bc

^a Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники
^b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
^c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Исследованы параметры импульсных сине-фиолетовых (λ ≈ 430 нм при Т = 300 К) лазеров на основе структуры AlGaN/InGaN/GaN с пятью квантовыми ямами InGaN с поперечной накачкой электронным пучком. При комнатной температуре активного элемента минимальная рабочая энергия электронов составила 9 кэВ, минимальная пороговая плотность тока пучка электронов – 8 А/см² при энергии электронов 18 кэВ.

Ключевые слова: лазер с электронно-лучевой накачкой, квантово-размерная структура, квантовая яма.

PACS: 42.55.Px, 41.75.Fr, 85.35.Be, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 09.02.2015
Исправленный вариант: 27.03.2015