RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 8, страницы 720–724 (Mi qe16222)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Активные среды

Кинетика кислородно-иодной активной среды с оптической накачкой атомов иода на переходе 2P1/22P3/2

М. В. Загидуллинab, М. С. Малышевb, В. Н. Азязовab

a Самарский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева РАН
b Самарский государственный аэрокосмический университет им. академика С. П. Королева

Аннотация: Проанализирована кинетика процессов в потоке газа O2–I2–He–H2O, в котором последовательно осуществляются фотодиссоциация молекулярного иода на длине волны вблизи 500 нм и возбуждение атомарного иода на переходе 2P1/22P3/2 узкополосным излучением вблизи 1315 нм. Показано, что таким способом можно сформировать кислородно- иодную среду с высокой степенью диссоциации молекулярного иода и относительным содержанием синглетного кислорода O2(a1Δ) более 10%. Сформировав из этой среды сверхзвуковой поток с температурой газа ≈100 K, можно достичь усиления слабого сигнала около 10-2 см-1 на переходе 2P1/22P3/2 атома иода. В кислородно-иодном лазере с такой активной средой удельная мощность с единицы поперечного сечения потока может составить ≈100 Вт/см2.

Ключевые слова: оптическая накачка, синглетный кислород, атом иода, кислородно-иодный лазер, диодный лазер.

PACS: 42.55.Ks, 42.55.Xi

Поступила в редакцию: 09.07.2014
Исправленный вариант: 31.10.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:8, 720–724

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024