Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)”, Квантовая электроника, 45:10 (2015), 879

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)

Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано влияние параметров лазерного резонатора на ватт-амперные характеристики лазеров спектрального диапазона 1400–1600 нм на основе системы твердых растворов AlGaInAs/GaInAsP/InP. Показано, что оптимизация параметров резонатора (длины кристалла и коэффициента отражения переднего зеркала) позволяет улучшить отвод тепла от лазера, не изменяя другие лазерные характеристики. Продемонстрировано увеличение максимальной выходной оптической мощности лазера на 0.5 Вт за счет оптимизации конструкции его резонатора.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, насыщение ватт-амперной характеристики, оже-рекомбинация, лазерный резонатор.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 24.04.2015
Исправленный вариант: 17.07.2015