RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 11, страницы 1037–1042 (Mi qe16277)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Лазерное охлаждение электрон-ионной плазмы при оптимальном сканировании частоты лазерного излучения

А. П. Гаврилюкab, И. Л. Исаевa

a Институт вычислительного моделирования СО РАН, г. Красноярск
b Сибирский федеральный университет, г. Красноярск

Аннотация: Исследовано лазерное охлаждение ионов электрон-ионной плазмы под действием сил спонтанного радиационного давления. Показано, что использование постоянной отстройки частоты лазерного излучения от частоты квантового перехода ω0 в ионах значительно ограничивает условия, при которых ионы охлаждаются. Для расширения диапазона начальных температур возможного охлаждения ионов и увеличения эффективности охлаждения предлагается сканировать отстройку частоты лазерного излучения таким образом, чтобы скорость охлаждения оставалась максимальной в процессе изменения температуры ионов. В случае оптимальной отстройки найдено асимптотическое выражение для скорости охлаждения и определена область концентраций и температур электронов, где охлаждение ионов возможно.

Ключевые слова: лазерное охлаждение, неидеальная электрон-ионная плазма, сканирование частоты.

PACS: 37.10.Rs, 52.38.-r

Поступила в редакцию: 08.05.2015
Исправленный вариант: 25.06.2015


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2015, 45:11, 1037–1042

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024