RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 1, страницы 81–87 (Mi qe16303)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Источники для ЭУФ литографии

Источник ЭУФ лазерно-индуцированного излучения высокой яркости на основе оловянной плазмы с неограниченным ресурсом электродов

А. Ю. Виноходовa, В. М. Кривцунba, А. А. Лашa, В. М. Борисовc, О. Ф. Якушевda, К. Н. Кошелевba

a ООО "ЭУФ Лабс", г. Троицк, г. Москва
b Институт спектроскопии РАН, г. Троицк
c Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
d Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Исследованы характеристики источника лазерно-индуцированного излучения экстремального ультрафиолетового (ЭУФ) диапазона, которое получено в разряде между двумя струями жидкого олова, и продемонстрирована возможность создания на его основе источника ЭУФ излучения высокой яркости для использования в технологиях инспекции масок для проекционной ЭУФ литографии. Получена средняя эффективность конверсии электрической энергии в излучение спектрального диапазона 13.5±0.135 нм, равная примерно 2%/2π ср, с размером излучающей плазмы 0.2×0.35 мм. Продемонстрирована возможность создания источника ЭУФ излучения с яркостью около 200 Вт/(мм2·ср).

Ключевые слова: источник излучения ЭУФ диапазона, ЭУФ литография, плазма, разряд, лазер, струя жидкого олова, яркость источника.

Поступила в редакцию: 19.08.2014


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2016, 46:1, 81–87

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024