Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков, “Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb3Al5O12 при накачке на переходе 3H6 – 3F4”, Квантовая электроника, 46:3 (2016), 189

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb₃Al₅O₁₂ при накачке на переходе ³H₆ – ³F₄

Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Разработана технология роста, и методом Чохральского выращен лазерный кристалл Tm:Ho:Yb₃Al₅O₁₂ высокого оптического качества. Исследованы его спектрально-люминесцентные характеристики. Реализована лазерная генерация на длине волны 2100 нм при лазерной накачке в линию поглощения на переходе ³H₆ – ³F₄ иона Tm³⁺ с длиной волны 1678 нм. Дифференциальный и общий (оптический) КПД лазера достигали 41% и 30% соответственно при выходной мощности излучения до 320 мВт.

Ключевые слова: Tm, Ho, YbAG, лазер, люминесценция, генерация, время жизни.

Поступила в редакцию: 05.08.2015
Исправленный вариант: 02.12.2015