П. А. Рябочкина, Н. В. Сидорова, А. Н. Чабушкин, Е. Е. Ломонова, “Лазерная генерация на переходе 4I13/2 → 4I15/2 ионов Er3+ в кристаллах ZrO2 – Y2O3 – Er2O3 при резонансной полупроводниковой накачке на уровень 4I13/2”, Квантовая электроника, 46:5 (2016), 451

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Лазерная генерация на переходе ⁴I_13/2 → ⁴I_15/2 ионов Er³⁺ в кристаллах ZrO₂ – Y₂O₃ – Er₂O₃ при резонансной полупроводниковой накачке на уровень ⁴I_13/2

П. А. Рябочкина^a, Н. В. Сидорова^a, А. Н. Чабушкин^a, Е. Е. Ломонова^b

^a Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск
^b Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Представлены результаты генерационного эксперимента на кристаллах ZrO₂ – Y₂O₃ – Er₂O₃. При полупроводниковой накачке на уровень ⁴I_13/2 ионов Er³⁺ кристаллов ZrO₂ – Y₂O₃ (13.8 мол.%) – Er₂O₃ (0.2 мол.%) получена лазерная генерация на переходе ⁴I_13/2 → ⁴I_15/2 ионов Er³⁺ с длиной волны генерации 1648 нм.

Ключевые слова: лазерная генерация, кристалл ZrO₂ – Y₂O₃ – Er₂O₃, ион Er³⁺, резонансная накачка.

Поступила в редакцию: 18.09.2015
Исправленный вариант: 20.01.2016