RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 8, страницы 685–692 (Mi qe16434)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры

Анализ характеристик лазера на парах рубидия с диодной накачкой с использованием кинетического алгоритма

Хэ Цай, Ю Ван, Вэй Чжан, Лянпин Сюэ, Хунюань Ван, Цзюхун Хань, Гофэй Ань, Чжаган Цзян, Мин Гао, Цзе Чжоу, Чжие Ляо

Southwestern Institute of Technical Physics, China

Аннотация: Рассмотрены лазеры на парах щелочных металлов с диодной накачкой (ЛПЩМДН), позволяющие реализовать высокую выходную мощность. Характеристики таких лазеров сильно зависят от физических свойств используемых буферных газов, а также от структурных параметров ячейки с парами. Особое внимание было сосредоточено на лазере на парах рубидия с диодной накачкой (ЛПРДН): исследовалось влияние на его характеристики различных условий и параметров. Результаты показывают, что ширина линии D2 излучения ЛПРДН и скорость перемешивания подуровней тонкой структуры возбужденных уровней, являющиеся решающими факторами реализации мощного ЛПРДН, увеличиваются с повышением давления буферных газов и температуры ячейки с парами. Показано, что отношение населенностей двух возбужденных энергетических уровней приближается к отношению, соответствующему тепловому равновесию, по мере того как давление буферных газов и температура ячейки с парами становятся выше. Мы обнаружили, что оптимальные значения давления метана, температуры ячейки и ее длины могут быть определены путем кинетического анализа. Выводы могут быть полезными при проектировании конфигураций ЛПЩМДН с торцевой накачкой.

Ключевые слова: ЛПЩМДН, ЛПРДН, буферный газ, ячейка с парами, ширина линии, скорость перемешивания подуровней тонкой структуры, тепловое равновесие.

Поступила в редакцию: 28.08.2015
Исправленный вариант: 15.12.2015


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2016, 46:8, 685–692

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024