RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 9, страницы 811–814 (Mi qe16463)

Нелинейно-оптические явления

Параметрическое усиление широкополосного излучения непрерывного суперлюминесцентного диода при пикосекундной накачке

К. А. Верещагинa, С. Н. Ильченкоb, В. Б. Морозовcd, А. Н. Оленинcd, В. Г. Тункинcd, Д. В. Яковлевcd, С. Д. Якубовичe

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
b ООО "Оптон", г. Москва
c Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет
d Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
e Московский технологический университет (МИРЭА)

Аннотация: Для получения широкополосных пикосекундных импульсов предложено использовать непрерывные суперлюминесцентные диоды с шириной спектра около 300 см-1 и высокой пространственной когерентностью в качестве источников затравочного излучения в параметрических усилителях с пикосекундной накачкой. Двухкаскадный параметрический усилитель на кристаллах ВВО накачивался импульсами длительностью 20 пс второй гармоники излучения Nd:YAG-лазера. При ширине спектра суперлюминесцентного диода 275 см-1 (центральная длина волны 790 нм) ширина спектра пикосекундных импульсов на выходе параметрического усилителя составила 203 см-1. При суммарной энергии накачки кристаллов ВВО 7.2 мДж получена энергия усиленного излучения суперлюминесцентного диода 0.6 мДж.

Ключевые слова: параметрическое усиление, пикосекундная накачка, суперлюминесцентный диод.

Поступила в редакцию: 10.06.2016


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2016, 46:9, 811–814

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024