RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 9, страницы 777–781 (Mi qe16469)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры

З. Н. Соколоваa, Н. А. Пихтинa, И. С. Тарасовa, Л. В. Асрянb

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
b Virginia Polytechnic Institute and State University Blacksburg, USA

Аннотация: Проведен расчёт пороговых характеристик полупроводникового лазера на квантовой яме (КЯ) с использованием условия глобальной электронейтральности, которое включает носители заряда как в активной, так и в волноводной области и, таким образом, представляет собой равенство полного заряда электронов полному заряду дырок в этих двух областях. Показано, что на пороге генерации концентрации электронов и в КЯ, и в волноводной области не равны концентрациям дырок в этих областях, т. е. в каждой из областей локальная электронейтральность нарушается. В зависимости от скоростей захвата носителей из волноводной области в КЯ, концентрация электронов может быть как выше, так и ниже концентрации дырок (и в КЯ, и в волноводной области). Показано, что заряд носителей каждого знака в волноводной области превышает таковой в КЯ.

Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, квантовые ямы, условия электронейтральности.

Поступила в редакцию: 15.07.2016


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2016, 46:9, 777–781

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024