RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 10, страницы 899–902 (Mi qe16477)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Лазерная наноабляция поверхности алмаза при высоких частотах следования импульсов

В. В. Кононенкоab, В. М. Гололобовa, В. П. Пашининa, В. И. Коновab

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"

Аннотация: Экспериментально исследован процесс химического травления поверхности природного монокристалла алмаза при ее облучении в воздухе субпикосекундными лазерными импульсами с высокой частотой следования (f ≤ 500 кГц). Лазерное воздействие осуществлялось с помощью второй гармоники (515 нм) излучения дискового Yb : YAG-лазера. Получены зависимости скорости травления поверхности алмаза от плотности лазерной энергии и от частоты следования импульсов.

Ключевые слова: алмаз, лазерная наноабляция, фотостимулированные процессы.

Поступила в редакцию: 25.05.2016


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2016, 46:10, 899–902

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024