RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 1, страницы 13–14 (Mi qe1648)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры

Коротковолновый (λ = 914 нм) микролазер на кристалле YVO4:Nd3+

В. А. Сычугов, В. А. Михайлов, В. А. Кондратюк, Н. М. Лындин, Ю. Фрам, А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, П. А. Студеникин

Институт общей физики РАН, Москва

Аннотация: Определены условия, при которых реализуется генерация излучения с λ = 914 нм в кристалле YVO4:Nd3+ при его диодной накачке. Продемонстрирована возможность внутрирезонаторного удвоения частоты излучения микролазера с использованием кристаллов LiIO3.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 06.07.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:1, 13–14

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024