RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 12, страницы 1154–1158 (Mi qe16529)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Лазерное структурирование алмазной поверхности в режиме наноабляции

В. М. Гололобовa, В. В. Кононенкоab, В. И. Коновab

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"

Аннотация: Экспериментально исследована возможность применения процесса наноабляции (безграфитизационного фотоиндуцированного травления) для прецизионного микро- и наноструктурирования поверхности монокристалла алмаза. Обработка осуществлялась фемтосекундными импульсами третьей гармоники титан-сапфирового лазера (λ = 266 нм). Обсуждаются особенности формирования нанорельефа поверхности: регулярность формируемых структур и уменьшение скорости наноабляции вблизи уже сформированных кратеров. Продемонстрирована возможность создания алмазной фазовой дифракционной решетки с глубиной рельефа ~130 нм и проведено сравнение дифракционной картины (λ = 532 нм) с теоретическими расчетами.

Ключевые слова: наноабляция, микро- и наноструктурирование поверхности, монокристалл алмаза.

Поступила в редакцию: 09.11.2016


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2016, 46:12, 1154–1158

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024