RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 1, страницы 38–41 (Mi qe16544)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Об угловом распределении напрямую ускоренных электронов под действием мощного остросфокусированного лазерного импульса

О. Е. Вайсa, С. Г. Бочкаревa, С. Тер-Аветисянb, В. Ю. Быченковa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Center for Relativistic Laser Science, Institute for Basic Science, and Department of Physics and Photon Science, Republic of Korea

Аннотация: Исследованы спектрально-угловые распределения электронов, напрямую ускоренных из сверхтонкой нанофольги остросфокусированным релятивистски сильным лазерным импульсом. Используемый подход опирается на реалистичную модель описания фокусировки излучения внеосевым параболическим зеркалом, причем распределение полей моделируется с помощью интегралов Стреттона–Чу. Сопоставлены спектрально-угловые распределения электронов для лазерных импульсов с гауссовым поперечным и прямоугольным профилями интенсивности на зеркале при одной и той же энергии лазерного импульса. Показано, что в случае использования импульса с прямоугольным профилем интенсивности энергия быстрых электронов больше, а углы вылета меньше по сравнению со случаем импульса с гауссовым профилем.

Ключевые слова: остросфокусированный релятивистски сильный лазерный импульс, прямое ускорение электронов.

Поступила в редакцию: 23.11.2016


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2017, 47:1, 38–41

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024