RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 6, страницы 503–508 (Mi qe16631)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Модификация поверхности раздела SiO2/Si при воздействии импульсно-периодического излучения волоконного лазера

А. М. Скворцовa, В. П. Вейкоa, К. Т. Хуиньb, Д. С. Поляковa, А. М. Тамперa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Quy Nhon University, Viet Nam

Аннотация: Изучены особенности структурной модификации поверхности раздела кремний – окисел при воздействии импульсно-периодического лазерного излучения на длине волны 1.07 мкм. Установлено, что наличие слоя термически выращенного оксида на поверхности кремния оказывает существенное влияние на процесс дефектообразования и характер микроструктурирования поверхности благодаря особому сложнонапряженному механическому состоянию такой структуры.

Ключевые слова: поверхность раздела кремний – окисел, микроструктурирование, дислокации, микроплавление, волоконный лазер.

Поступила в редакцию: 24.03.2017


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2017, 47:6, 503–508

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024