А. А. Исакова, К. Н. Савинов, Н. Н. Головин, Н. Ж. Алтынбеков, В. И. Вишняков, А. К. Дмитриев, “Особенности режимов генерации полупроводникового лазера с внешним резонатором при СВЧ модуляции”, Квантовая электроника, 47:7 (2017), 610

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

Особенности режимов генерации полупроводникового лазера с внешним резонатором при СВЧ модуляции

А. А. Исакова^a, К. Н. Савинов^a, Н. Н. Головин^a, Н. Ж. Алтынбеков^a, В. И. Вишняков^b, А. К. Дмитриев^ba

^a Новосибирский государственный технический университет
^b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: При СВЧ модуляции тока накачки полупроводникового лазера (λ = 795 нм) наблюдалась осциллирующая зависимость амплитуд боковых составляющих спектра излучения от частоты и найдена связь этих осцилляций со структурой поля в резонаторе лазера и оптической толщиной дифракционной решетки резонатора.

Ключевые слова: рубидиевый стандарт частоты, полупроводниковый лазер, СВЧ накачка.

Поступила в редакцию: 20.04.2017