М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, В. А. Симаков, “Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%”, Квантовая электроника, 47:8 (2017), 693

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%

М. А. Ладугин^a, А. А. Мармалюк^ab, А. А. Падалица^a, К. Ю. Телегин^a, А. В. Лобинцов^a, С. М. Сапожников^a, А. И. Данилов^a, А. В. Подкопаев^a, В. А. Симаков^a

^a АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"

Аннотация: Продемонстрированы результаты создания решеток лазерных диодов, работающих в квазинепрерывном режиме на длине волны 808 нм с высоким КПД. Излучатели были изготовлены на основе полупроводниковых квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Приведены данные измерений спектральных, пространственных, электрических и мощностных характеристик. Выходная оптическая мощность излучателя с размерами тела свечения 5 × 10 мм составляла 2.7 кВт при рабочем токе накачки 100 А, максимальный КПД достигал 62%.

Ключевые слова: решетки лазерных диодов, КПД, квантоворазмерные гетероструктуры, МОС-гидридная эпитаксия, AlGaAs / GaAs.

Поступила в редакцию: 31.05.2017