Фотонное эхо на сверхузком оптическом переходе иона 167Er3+ в кристалле 7LiYF4

Методами двухимпульсного и стимулированного фотонного эха впервые определены времена продольной и поперечной релаксации на переходе между сверхтонкими подуровнями нижних электронных состояний мультиплетов ⁴I_15/2 и ⁴I_9/2 ионов ¹⁶⁷Er³⁺ в кристалле ⁷LiYF₄, находящемся в нулевом магнитном поле при температуре 4 K. Обнаружена модуляция в спаде сигнала фотонного эха, предположительно обусловленная суперсверхтонким взаимодействием ионов ¹⁶⁷Er³⁺ с ближайшими ионами-лигандами ¹⁹F^-. Обсуждаются вклады различных взаимодействий в сверхузкую ширину линии (~24 МГц) этого перехода. Полученные результаты указывают на перспективность использования данного оптического перехода иона ¹⁶⁷Er³⁺ в кристалле ⁷LiYF₄ в рамановских схемах оптической квантовой памяти.