RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 10, страницы 977–980 (Mi qe16686)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Механизмы фотоотклика монослойной структуры на основе графена с квантовыми точками

Аммар Ж.К.Аль-Алваниab, А. С. Чумаковa, М. В. Пожаровc, Е. Г. Глуховскойa

a Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
b Babylon University, Iraq
c Институт химии Саратовского национального исследовательского государственного университета им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Гибридные структуры на основе графеновых листов с квантовыми точками были приготовлены методом Ленгмюра–Блоджетт. Морфология полученных структур исследована с помощью атомно-силовой микроскопии и сканирующей электронной микроскопии. Приготовлены и исследованы образцы двух типов на основе графена, покрытого сверху слоями квантовых точек с различной внутренней структурой: CdSe/CdS/ZnS и CdSe/ZnS. Фотопроводящие свойства исследованы методом вольт-амперных характеристик в темноте, а также при освещении белым светом или ультрафиолетовым излучением с длиной волны возбуждения 365 нм. Проведена оценка времен нарастания и спада фототока при УФ облучении в структурах на основе графена с квантовыми точками.

Ключевые слова: фотоотклик, монослои графена с квантовыми точками.

Поступила в редакцию: 16.11.2016
Исправленный вариант: 18.08.2017


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2017, 47:10, 977–980

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024