RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 11, страницы 992–999 (Mi qe16709)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Моделирование квантово-каскадного лазера эквивалентной схемой с учетом влияния горячих электронов и горячих фононов

Х. Р. Юсефванд

Department of Electrical Engineering, Islamshahr Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran

Аннотация: Исследуется влияние динамики горячих электронов и фононов на выходные характеристики квантово-каскадного лазера (ККЛ) с помощью моделирования эквивалентной схемой. Модель построена на основе уравнения энергетического баланса, определяющего электронную температуру уровней в активной области, уравнения теплопереноса для учета температуры решетки, скорости образования неравновесных фононов, учитывающей динамику горячих фононов, и упрощенных двухуровневых скоростных уравнений динамики носителей заряда и фотонов в активной области. Данная методика упрощает описание электрон-фононного взаимодействия в ККЛ вдали от равновесия. С использованием представленной модели изучены и проанализированы стационарный и нестационарный отклики ККЛ в широком диапазоне температур теплового резервуара (от 80 до 320 K). Модель позволила объяснить полученные рабочие характеристики ККЛ. Ожидается, что данная предсказательная модель будет применима ко всем ККЛ-системам, работающим в импульсных и непрерывных режимах.

Ключевые слова: квантово-каскадные лазеры (ККЛ), эквивалентная схема, горячий электрон, горячий фонон.

Поступила в редакцию: 13.04.2017


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2017, 47:11, 992–999

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024