Высокоэффективные поперечно-одномодовые суперлюминесцентные диоды красного диапазона спектра

Оптимизация процесса эпитаксиального роста AlGaInP/GaInPAs-наногетероструктур и усовершенствование технологий формирования активного канала и нанесения p-контакта позволили заметно повысить внешнюю дифференциальную квантовую эффективность (до 0.5 мВт/мА), порог катастрофической оптической деградации (до 40 мВт) и ширину спектра (FWHM более 15 нм) поперечно-одномодовых суперлюминесцентных диодов с центральной длиной волны излучения около 675 нм. Ресурсные испытания продемонстрировали высокую надежность этих приборов при непрерывной выходной оптической мощности до 30 мВт.