Исследование динамики нелинейного оптического отклика в стеклообразных халькогенидных полупроводниках методом "накачка–зондирование"

На основе анализа результатов измерений методом "накачка–зондирование" с фемтосекундным временным разрешением и компьютерного моделирования кинетики носителей заряда выявлены два типа нелинейного оптического отклика в образцах халькогенидных стекол системы As – S – Se при их облучении лазерными импульсами длительностью 50 фс на длине волны 0.79 мкм. Различие нелинейной динамики обусловлено характером фотовозбуждения, поскольку поглощение лазерного излучения может идти через связанные состояния в запрещенной зоне или без их участия, в зависимости от отношения энергии фотона накачки к ширине запрещенной зоны.