А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 197

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Лазеры и усилители

Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм

А. А. Мармалюк^ab, Ю. Л. Рябоштан^a, П. В. Горлачук^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Падалица^a, С. О. Слипченко^c, А. В. Лютецкий^c, Д. А. Веселов^c, Н. А. Пихтин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проанализировано влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур AlGaInAs/InP. Экспериментально получены образцы полупроводниковых лазеров с узким и широким волноводами. Проведено их сравнение и показано преимущество той или иной конструкции гетероструктур в зависимости от токовой накачки.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, выходная мощность.

Поступила в редакцию: 20.10.2017
Исправленный вариант: 25.12.2017