RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 4, страницы 390–394 (Mi qe16792)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями

А. А. Афоненкоa, Д. В. Ушаковa, В. Я. Алешкинbc, А. А. Дубиновbc, Н. В. Дикареваc, С. М. Некоркинc, Б. Н. Звонковc

a Белорусский государственный университет, г. Минск
b Институт физики микроструктур РАН – филиал Федерального исследовательского центра "Институт прикладной физики РАН", г. Нижний Новгород
c Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: На основе комплексной модели, учитывающей диффузию и дрейф носителей заряда, процессы захвата электронов и дырок на уровни квантовых ям (КЯ), пространственное распределение излучения в резонаторе, эффекты внутризонного поглощения и нагрева активной области, проведен расчет мощностных характеристик лазеров с волноводом на КЯ. Предложены структуры с дополнительными блокирующими легированными барьерными слоями, позволяющими снизить токи утечки до единиц процентов. В лазере на основе квантоворазмерной гетероструктуры GaInAs/GaAs (апертура 100 мкм) с волноводом на КЯ и легированным блокирующим слоем GaAsP расчетная средняя мощность генерации в импульсном режиме составила 29 Вт при импульсах тока 80 А длительностью 5 мкс.

Ключевые слова: мощностные характеристики, волновод на основе квантовых ям, потенциальные барьеры, диффузионно- дрейфовая модель, внутризонное поглощение, токи утечки, нагрев активной области.

Поступила в редакцию: 04.12.2017


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2018, 48:4, 390–394

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024