А. И. Грибенюков, С. Н. Подзывалов, А. Н. Солдатов, А. С. Шумейко, Н. А. Юдин, Н. Н. Юдин, В. Ю. Юрин, “Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция”, Квантовая электроника, 48:5 (2018), 491

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Применения лазеров

Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP₂ излучением лазера на парах стронция

А. И. Грибенюков^ab, С. Н. Подзывалов^b, А. Н. Солдатов^b, А. С. Шумейко^b, Н. А. Юдин^b, Н. Н. Юдин^b, В. Ю. Юрин^b

^a Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, г. Томск
^b Национальный исследовательский Томский государственный университет

Аннотация: Описан модифицированный метод оптический дефектоскопии монокристаллических пластин ZnGeP₂ с использованием излучения лазера на парах стронция (λ = 1.03 и 1.09 мкм), основанный на получении теневой картины внутренних дефектов пластин, вырезанных параллельно плоскости (100). Показано, что применение излучения лазера на парах стронция с длиной волны 6.45 мкм позволяет исследовать неоднородности в крупноразмерных образцах ZnGeP₂. Рассмотрена возможность создания проекционного дефектоскопа для мониторинга развития процесса пробоя монокристалла ZnGeP₂.

Ключевые слова: лазеры на самоограниченных переходах, дефектоскоп, монокристалл.

Поступила в редакцию: 30.08.2017
Исправленный вариант: 05.02.2018