RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 7, страницы 603–606 (Mi qe16860)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Лазеры

Энергетические и спектральные характеристики параметрического генератора на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 с накачкой излучением Ho : YAG-лазера

А. И. Грибенюковa, С. М. Ватникb, В. В. Деминc, С. Н. Подзываловc, И. Г. Половцевc, Н. Н. Юдинc

a Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, г. Томск
b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
c Национальный исследовательский Томский государственный университет

Аннотация: Экспериментально реализованы средняя мощность генерации параметрического генератора (ПГ) на основе монокристалла ZnGeP2, составившая ~1.5 Вт, и КПД, равный ~28.6% в диапазоне длин волн 3.5–4.8 мкм при средней мощности излучения накачки ~5.5 Вт и плотности его энергии ~0.47 Дж/см2. Показано, что существуют пороговые условия по средней мощности излучения накачки для реализации параметрической генерации. При этом рост эффективности генерации наблюдается с увеличением плотности энергии излучения накачки до ~0.4 Дж/см2, а при дальнейшем ее увеличении выходная мощность растет за счет уменьшения порога параметрической генерации. Параметрические генераторы на основе монокристаллов ZnGeP2 с указанными характеристиками являются перспективными для решения многих прикладных задач, в том числе для генерации терагерцевого излучения при накачке нелинейных кристаллов излучением таких ПГ на разностной частоте.

Ключевые слова: параметрическая генерация, ZnGeP2, нелинейные кристаллы, излучение среднего ИК диапазона.

Поступила в редакцию: 19.03.2018


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2018, 48:7, 603–606

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024