RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 8, страницы 686–690 (Mi qe16881)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры

Наносекундный Fe : ZnSe-лазер, накачиваемый внутри резонатора Er : YLF-лазера с поперечной диодной накачкой и работающий при комнатной температуре

В. И. Козловскийab, Ю. В. Коростелинa, Я. К. Скасырскийa, М. П. Фроловa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Получена лазерная генерация при комнатной температуре в кристалле Fe : ZnSe, установленном в качестве пассивного затвора в резонаторе Er : YLF-лазера с диодной накачкой. Минирезонатор Fe : ZnSe-лазера был образован прижатыми к оптическим поверхностям кристалла зеркалами с большими коэффициентами отражения для λ = 4–4.5 мкм и большими коэффициентами пропускания для линий генерации Er : YLF-лазера. Внутри резонатора Er : YLF-лазера генерировались короткие импульсы излучения длительностью ~100 нс на λ = 2.65 мкм, вызванные пассивной модуляцией добротности резонатора кристаллом Fe : ZnSe. Поглощение излучения Er : YLF-лазера в кристалле Fe : ZnSe приводило к накачке Fe : ZnSe-лазера, который генерировал импульсы излучения длительностью менее 50 нс с энергией ~0.5 мкДж на λ = 4.2 мкм. Лазер работал в импульсно-периодическом режиме накачки с частотой следования импульсов до 200 Гц.

Ключевые слова: средний инфракрасный диапазон, кристаллы А2В6, Fe : ZnSe-лазер, Er : YLF-лазер, пассивная модуляция добротности, внутрирезонаторная накачка.

Поступила в редакцию: 08.05.2018
Исправленный вариант: 24.05.2018


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2018, 48:8, 686–690

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024