RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 9, страницы 854–855 (Mi qe16885)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Интегральная оптика

Планарные волноводные структуры на основе SrF2 : Ho, Er, Tm. Зависимость показателя преломления от концентрации ионов активатора

А. Я. Карасик, В. А. Конюшкин, А. Н. Накладов, Д. С. Чунаев

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Измерены показатели преломления кристаллов SrF2 с примесями ионов гольмия, эрбия и тулия. Эти кристаллы используются в качестве активных лазерных сред, в частности они могут применяться как материалы для создания планарных волноводных структур. Наличие активных ионов может создавать разность показателей преломления между оболочкой и активированной сердцевиной планарного волновода. При концентрациях примеси до 4% разность показателей преломления Δn активированной сердцевины и неактивированного отражающего слоя может достигать 0.007.

Ключевые слова: фторид стронция, показатели преломления.

Поступила в редакцию: 15.12.2017


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2018, 48:9, 854–855

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024