RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 3, страницы 221–224 (Mi qe1691)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Активные среды. Лазеры

Генерация вынужденного ИК излучения в парах цезия при оптической накачке

М. Г. Ситниковa, Н. В. Знаменскийa, Э. А. Маныкинa, Е. А. Петренкоa, Г. Г. Григорянb

a Институт сверхпроводимости и физики твердого тела, Российский научный центр "Курчатовский институт", Москва
b Институт физических исследований, Армения

Аннотация: Показано, что оптическая накачка паров Cs импульсным лазером на красителях, перестраиваемым в диапазоне 15390 — 17920 см-1, приводит к возникновению мощного вынужденного ИК излучения на целом ряде атомных преходов. Исследованы его пороговые, энергетические и спектральные характеристики, что позволило объяснить механизм его возбуждения.

PACS: 42.55.Lt, 32.80.Lt

Поступила в редакцию: 29.10.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:3, 221–224

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024