Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs

Представлены основные результаты разработки компактных мини-решеток лазерных диодов, работающих в импульсном режиме накачки на длине волны 875 нм, а также исследованы их приборные характеристики. Отличительной особенностью данных излучателей, помимо высокой выходной мощности (~1.5 кВт), является узкая диаграмма направленности (угловая расходимость 21° × 8°) и малая площадь излучения (менее 1 мм²). Использование для создания решеток лазерных диодов последовательно интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs с тремя излучающими областями, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, позволило улучшить их рабочие параметры.