RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 11, страницы 1000–1004 (Mi qe16933)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Антиотражающее покрытие элементов силовой алмазной оптики для CO2-лазеров

П. А. Пивоваровab, В. С. Павельевcd, В. А. Сойферcd, К. В. Черепановce, В. И. Анисимовe, В. В. Бутузовe, В. Р. Сороченкоa, Н. В. Артюшкинf, В. Е. Рогалинfg, Н. И. Щебетоваf, В. Г. Плотниченкоh, В. И. Коновab

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Самарский университет
d Институт систем обработки изображений РАН, г. Самара
e Акционерное общество «Научно-исследовательский институт "Экран"», г. Самара
f АО «Национальный центр лазерных систем и комплексов "Астрофизика"», г. Москва
g Тверской государственный университет
h Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва

Аннотация: Разработана технология нанесения на алмазные подложки однослойного антиотражающего для излучения CO2-лазеров с λ = 10.6 мкм покрытия из PbF2. В качестве подложек использованы пластины из поликристаллического CVD алмаза. Коэффициент пропускания алмазных пластин с двухсторонним покрытием достигал 98.5% – 99%. Измеренная лучевая стойкость таких пластин в нормальных условиях окружающей среды для импульсного (τ ~100 нс) и непрерывного излучения CO2-лазеров составила 250 и 4 МВт/см2 соответственно. Эти значения сравнимы с порогами разрушения алмазных подложек. Обнаружено увеличение порога разрушения антиотражающего покрытия в непрерывном режиме воздействия до 5.5 МВт/см2 при предварительном многократном облучении образцов менее интенсивным лазерным излучением. Этот эффект может быть объяснен удалением с поверхности пленки частиц и слоя адсорбата без ее разрушения (эффект лазерной очистки).

Ключевые слова: антиотражающее покрытие, лучевая стойкость, алмазная оптика, СO2-лазер.

Поступила в редакцию: 12.10.2018
Исправленный вариант: 19.10.2018


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2018, 48:11, 1000–1004

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024