Аннотация:
С использованием перестраиваемого в диапазоне 1130–1210 нм волоконного лазера на основе алюмосиликатного висмутового световода измерена зависимость спектров усиления в висмутовых фосфоросиликатных световодах в области 1220–1400 нм от длины волны излучения накачки. При накачке излучением на λ = 1195 нм получено смещение пика полосы усиления на λ = 1300 нм, что примерно соответствует центру полосы, стандартизованной для передачи сигнала О-диапазона (1270–1320 нм) в волоконно-оптических линиях связи, в том числе между дата-центрами. С использованием усилителя на основе фосфоросиликатного висмутового световода с накачкой излучением на λ = 1195 нм показано, что расстояние, на которое может быть передан сигнал от полупроводникового лазерного диода, замодулированного напрямую со скоростью 25 Гб/с (ООК (on-off keying)модуляция), может быть увеличено для световода стандарта G.652 со стандартных 10 км до 80 км и более.