RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 3, страницы 255–256 (Mi qe1698)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Нелинейно-оптические явления и приборы

Оптическое поглощение кристаллов КТР в диапазоне 0.9 — 2.5 мкм при воздействии γ-излучения

М. В. Алампиев, О. Ф. Бутягин, Н. И. Павлова

Федеральное государственное предприятие НИИ "Полюс", Москва

Аннотация: Отмечено появление дополнительного поглощения в кристалле КТР в диапазоне 0.9 — 1.4 мкм под воздействием γ-излучения с дозами до 5·107 Р; в диапазоне 1.4 — 2.5 мкм дополнительное поглощение не наблюдалось. Рассмотрены характеристики параметрической генерации света на кристалле КТР, подвергнутом воздействию γ-излучения при накачке излучением импульсного ИАГ:Nd3+-лазера с длиной волны 1.064 мкм.

PACS: 42.10.Ke, 42.65.Ky

Поступила в редакцию: 21.05.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:3, 255–256

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024