RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 2, страницы 115–118 (Mi qe16984)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Лазер коротких импульсов на 795 нм с внутрирезонаторной генерацией суммарной частоты при использовании двух кристаллов MgO : PPLN

Чжиюн Лиab, Жунцин Таньac, Бося Яньd, Цзиньтянь Бяньb, Цин Еb, Фанцзинь Нинac, Лемао Хуac

a Department of High Power Gas Laser, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, China
b State Key Laboratory of Pulsed Power Laser Technology, Electronic Engineering Institute, China
c University of Chinese Academy of Sciences, China
d Academy of Opto-Electronis, Chinese Academy of Sciences, China

Аннотация: Сообщается о создании перестраиваемого импульсного лазера (λ = 795 нм) на основе параметрического генератора света с накачкой на 1064 нм от лазера, в котором используется внутрирезонаторная генерация суммарной частоты. В резонаторе находятся два кристалла MgO : PPLN с периодически поляризованной структурой (периоды 22.0 и 31.0 мкм). Кристалл с периодом 31.0 мкм используется для генерации излучения среднего ИК диапазона, а другой кристалл служит для сложения частот этого ИК излучения и излучения накачки. Длительность импульса лазера на 795 нм составляет 3.6 нс, частота следования импульсов – 35.3 кГц. Пиковая мощность лазера достигает 2.8 кВт при ширине спектральной линии 0.35 нм. Пороговая мощность накачки лазера на 795 нм составляет 1.4 Вт, а эффективность оптического преобразования исходного излучения на 1064 нм в излучение на 795 нм равна 5.7% при максимальной выходной мощности. Предлагаемый лазер может служить конкурентоспособным источником излучения ближнего ИК диапазона для исследования рубидиевого лазера с диодной накачкой.

Ключевые слова: генерация суммарной частоты, периодически поляризованная структура, параметрический генератор света, лазер на парах щелочных металлов, суррогатный лазер.

Поступила в редакцию: 30.09.2018
Исправленный вариант: 22.10.2018


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2019, 49:2, 115–118

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024